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电子元器件详细资料 » IC[28870] » NVB60N06T4G
型号:NVB60N06T4G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 60V D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V D2PAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C14 毫欧 @ 30A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs81nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds3220pF @ 25V
功率_最大150W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市凯斯宇科技有限公司蒋先生0755-28892811/23485500/13682692324
深圳市希普诚电子科技有限公司叶先生 李小姐0755-88914419/82561895
深圳瑞芯百汇科技有限公司张小姐0755-21630885
深圳市华芯盛世科技有限公司朱先生0755-23941632/83225692/83226005
深圳市昌鸿誉科技有限公司张小姐/朱先生0755-82790236
深圳市奥利通科技有限公司 欧阳文权0755-23894478/15889602398
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NVB60N06T4G相关型号

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